Новосибирские ученые разработали сверхбыструю флешку

Физики Новосибирска изобрели новейшую технологию создания флеш-накопителя, способного передавать данные вдвое-втрое скорее, и хранить информацию дольше существующих аналогов.

Учёные Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН исследуют возможность использования в производстве флешек графена — высокотехнологичного материала, открытого российскими учёными в Соединенном Королевстве Великобритании в 2010 г. (за него Андрей Гейм и Константин Новосёлов получили Нобелевскую премию). Кроме этого в «начинке» устройства используется туннельный и блокирующий слои.

Использование мультиграфена, по мнению ученых, позволит улучшить геометрию флеш-памяти, например, использовать не менее тонкий туннельный слой.

До этого ученые из Тайваня разработали извечную флеш-память. Кроме того, мультиграфен намного дольше удерживает заряд в сравнении с кремнием.

Но для эффективности блокирующий и туннельный слои должны быть довольно качественными. Это позволяет улучшить геометрию флеш-памяти. В случае дефекта заряд не уйдет, как из мультиграфена, а останется сидеть на ловушках. Например, не менее толстые туннельный и блокирующий слои, применяемые в данной технологии, неизбежно приводят к уменьшению быстродействия.

Флеш-память с повышенной производительностью создали новосибирские физики.

На этом этапе физики занимаются только фундаментальными исследовательскими работами. Предприятие должно быть снабжено актуальным для нашего времени оборудованием и может обойтись инвесторам приблизительно в $5 млн.

Кроме этого, ведется исследование разных материалов и для внедрения их в технологии резистивной памяти. При всем этом число циклов перезаписи окажется значительно больше, а потребление энергии — менее, чем во флеш-памяти, основанной на инжекции и хранении заряда.